Регистрация Забыли пароль?
Объекты Жители Библиотека Блоги

Описание

К концу 50-х годов прошлого столетия технология сборки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) из дискретных элементов исчерпала свои возможности. Мир пришел к острейшему кризису РЭА, для его преодоления требовались радикальные меры. В СССР электронная промышленность выделяется в самостоятельную отрасль (Госкомитет по электронной технике — ГКЭТ, преобразованный затем в Минэлектронпром — МЭП).
К этому времени и в СССР, и за рубежом уже созрели предпосылки для создания полупроводниковых и гибридных интегральных схем (ИС) — были промышленно освоены интегральные технологии производства как полупроводниковых приборов, так и толстопленочных и тонкопленочных керамических плат. Вопрос был лишь в том, кого первым озарит счастливая идея использовать их для изготовления многоэлементных изделий — ИС. Первыми оказались Д. Килби из Texas Instruments (TI) и Р. Нойс из Fairchild Semiconductor (США). В 1958 году они изготовили макеты ИС: Килби на германии, Нойс — на кремнии.
В 1959 году группа молодых разработчиков КБ Рижского завода полупроводниковых приборов (Карнов, Осокин, Пахомов) создала образцы германиевых ИС — логические элементы «2 ИЛИ-НЕ». К 1963 году была разработана первая технологическая линейка для изготовления бескорпусных ИС «Р12- 2». Три-четыре таких ИС помещали в металлический модуль и заливали компаундом. В середине 60-х годов их выпуск достиг 300 тыс., штук в год. В том же 1959 году работы по созданию германиевых ИС начались и в НИИ-35 (НИИ «Пульсар», Москва). В начале 1961 года в НИИ-35 был организован отдел ИС, который возглавил Б. В. Малин. Однако германий для ИС оказался не перспективен. Это быстро поняли и в TI, и в НИИ-35 и перешли на планарный кремний. В августе 1961 г. группу молодых специалистов НИИ-35 (Б. В. Малин, В. А. Стружинский и А. Ф. Трутко) направили на стажировку в США для изучения планарной технологии.
Примерно тогда же появились и гибридные ИС (ГИС). В СССР разработкой гибридной технологии занималось СКБ-2 ГКЭТ в Ленинграде.
В то время ИС и ГИС часто называли твердыми схемами. Причем специалисты прогнозировали, что наиболее интенсивно развиваться будут именно ГИС. Особые надежды возлагались на тонкопленочную технологию: на ее основе предполагали формировать и активные элементы — тонкопленочные диоды и транзисторы. Но прогнозы не оправдались, более перспективными оказались полупроводниковые ИС.

23.05.2015 - Начат снос. Разрыто много котлованов, некоторые здания частично разрушены.

Центр вычислительной техники и электроники

Центр вычислительной техники и электроники
Тип объекта:
Стройки
Месторасположение:
Московская область, Россия
Охраняемость:
нулевая
Состояние:
аварийное
Рейтинг:
(51 голос)

На объекте Центр вычислительной техники и электроники были 112 человек

Strannyi zelenstalker Rentgen Swalker boltcutter Valydol HeatherHoney Spitfire88 Voltage Stalker19 Nickanor bpilotf zhenka Himera ViruS6969 Kairineina smokerock Neolite stinker vlad1334 Natrix Serafimxenon0512 vorchun MagIVamp TDH Telik Pa3dolBiker tommykaira Zelonyi Barmaley vefskiy Hak Vlados Ezek1el Mohnatiy EVIL nistratov saoirse ADigg fspLexa 220Volt KOT557 deadwind LLlamaN flambr Behemoth ParaziT WonWess Erebus San4o Toxin punkOstolop Shaadorian Xymox Svein Opium Rain Pulia pioneer darkzerg Wiktim Zmei vlazar Psiha alisa xLGSx Rent Tepluha HuanCarlos Exquisitor Joker2142 Morn SJTerroristka kIRuS Darky SineNominatio NightHost Iskarka Sedoy Tartuf Hellsing DeformedDreams uryevich Scooby Lana StrelokDolga damali fender08 WiSH jaber mioti CTPAHHiK GLOBUS3D Kvetlorien venya123 AnDruid artem55 gnezdez shket10 LoveMeTender Phantom kloe Polinarka mrhide abyrvalg donskoi92 Hell Offraider Zim Nort provokator oWeRQ

Отчёты о походах на объект Центр вычислительной техники и электроники (10)

Название: Автор: Ответов:
TDH 6
vlad1334 9
Darky 31
San4o 8
DeformedDreams 7

Обсуждения объекта Центр вычислительной техники и электроники (1)

Название: Автор: Ответов:
Поход в мае donskoi92 6
Не самое интересное Offraider 5