Центр вычислительной техники и электроники
- Тип объекта:
- Стройки
- Месторасположение:
- Московская область, Россия
- Охраняемость:
- нулевая
- Состояние:
- аварийное
- Рейтинг:
- (52 голоса)
Описание
К концу 50-х годов прошлого столетия технология сборки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) из дискретных элементов исчерпала свои возможности. Мир пришел к острейшему кризису РЭА, для его преодоления требовались радикальные меры. В СССР электронная промышленность выделяется в самостоятельную отрасль (Госкомитет по электронной технике — ГКЭТ, преобразованный затем в Минэлектронпром — МЭП).
К этому времени и в СССР, и за рубежом уже созрели предпосылки для создания полупроводниковых и гибридных интегральных схем (ИС) — были промышленно освоены интегральные технологии производства как полупроводниковых приборов, так и толстопленочных и тонкопленочных керамических плат. Вопрос был лишь в том, кого первым озарит счастливая идея использовать их для изготовления многоэлементных изделий — ИС. Первыми оказались Д. Килби из Texas Instruments (TI) и Р. Нойс из Fairchild Semiconductor (США). В 1958 году они изготовили макеты ИС: Килби на германии, Нойс — на кремнии.
В 1959 году группа молодых разработчиков КБ Рижского завода полупроводниковых приборов (Карнов, Осокин, Пахомов) создала образцы германиевых ИС — логические элементы «2 ИЛИ-НЕ». К 1963 году была разработана первая технологическая линейка для изготовления бескорпусных ИС «Р12- 2». Три-четыре таких ИС помещали в металлический модуль и заливали компаундом. В середине 60-х годов их выпуск достиг 300 тыс., штук в год. В том же 1959 году работы по созданию германиевых ИС начались и в НИИ-35 (НИИ «Пульсар», Москва). В начале 1961 года в НИИ-35 был организован отдел ИС, который возглавил Б. В. Малин. Однако германий для ИС оказался не перспективен. Это быстро поняли и в TI, и в НИИ-35 и перешли на планарный кремний. В августе 1961 г. группу молодых специалистов НИИ-35 (Б. В. Малин, В. А. Стружинский и А. Ф. Трутко) направили на стажировку в США для изучения планарной технологии.
Примерно тогда же появились и гибридные ИС (ГИС). В СССР разработкой гибридной технологии занималось СКБ-2 ГКЭТ в Ленинграде.
В то время ИС и ГИС часто называли твердыми схемами. Причем специалисты прогнозировали, что наиболее интенсивно развиваться будут именно ГИС. Особые надежды возлагались на тонкопленочную технологию: на ее основе предполагали формировать и активные элементы — тонкопленочные диоды и транзисторы. Но прогнозы не оправдались, более перспективными оказались полупроводниковые ИС.
________
23.05.2015: Начат снос. Разрыто много котлованов, некоторые здания частично разрушены.
08.12.2018: Пока на месте, снос довольно медленный.
Май 2021: Процесс сноса заметно ускорился. Скоро ничего не останется. Территорию будут застраивать жильем.
Июнь 2021: Снесено почти все, включая каркас с главного фото.
Июль 2021: Снесено вообще все. Идет подготовка к новому строительству. В архив.
К этому времени и в СССР, и за рубежом уже созрели предпосылки для создания полупроводниковых и гибридных интегральных схем (ИС) — были промышленно освоены интегральные технологии производства как полупроводниковых приборов, так и толстопленочных и тонкопленочных керамических плат. Вопрос был лишь в том, кого первым озарит счастливая идея использовать их для изготовления многоэлементных изделий — ИС. Первыми оказались Д. Килби из Texas Instruments (TI) и Р. Нойс из Fairchild Semiconductor (США). В 1958 году они изготовили макеты ИС: Килби на германии, Нойс — на кремнии.
В 1959 году группа молодых разработчиков КБ Рижского завода полупроводниковых приборов (Карнов, Осокин, Пахомов) создала образцы германиевых ИС — логические элементы «2 ИЛИ-НЕ». К 1963 году была разработана первая технологическая линейка для изготовления бескорпусных ИС «Р12- 2». Три-четыре таких ИС помещали в металлический модуль и заливали компаундом. В середине 60-х годов их выпуск достиг 300 тыс., штук в год. В том же 1959 году работы по созданию германиевых ИС начались и в НИИ-35 (НИИ «Пульсар», Москва). В начале 1961 года в НИИ-35 был организован отдел ИС, который возглавил Б. В. Малин. Однако германий для ИС оказался не перспективен. Это быстро поняли и в TI, и в НИИ-35 и перешли на планарный кремний. В августе 1961 г. группу молодых специалистов НИИ-35 (Б. В. Малин, В. А. Стружинский и А. Ф. Трутко) направили на стажировку в США для изучения планарной технологии.
Примерно тогда же появились и гибридные ИС (ГИС). В СССР разработкой гибридной технологии занималось СКБ-2 ГКЭТ в Ленинграде.
В то время ИС и ГИС часто называли твердыми схемами. Причем специалисты прогнозировали, что наиболее интенсивно развиваться будут именно ГИС. Особые надежды возлагались на тонкопленочную технологию: на ее основе предполагали формировать и активные элементы — тонкопленочные диоды и транзисторы. Но прогнозы не оправдались, более перспективными оказались полупроводниковые ИС.
________
23.05.2015: Начат снос. Разрыто много котлованов, некоторые здания частично разрушены.
08.12.2018: Пока на месте, снос довольно медленный.
Май 2021: Процесс сноса заметно ускорился. Скоро ничего не останется. Территорию будут застраивать жильем.
Июнь 2021: Снесено почти все, включая каркас с главного фото.
Июль 2021: Снесено вообще все. Идет подготовка к новому строительству. В архив.
На объекте Центр вычислительной техники и электроники были 120 человек
Отчёты о походах на объект Центр вычислительной техники и электроники (14)
Обсуждения объекта Центр вычислительной техники и электроники (1)
| Название: | Автор: | Ответов: |
|---|---|---|
| Поход в мае | donskoi92 | 6 |
| Не самое интересное | Offraider | 5 |
Развалины центра информатики и электроники в Зеленограде
